1、氢化物气相外延
...光电器件的快速发展，对GaN的质量提出更高的要求，同质外延可以避免由于失配引起的缺陷，厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段。氢化物气相外延（HVPE）是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法。衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视，本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的...
2、卤化物气相外延
制备氮化镓薄膜的技术也相应得到迅速发展，如金属化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）、卤化物气相外延（HVPE）等犤1，2犦。白宝石（Sapphire，也称“蓝宝石”）是常用的外延氮化镓衬底，但
3、氢化物气相磊晶法
氢化物气相磊晶法(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE): 生长直径2”的 GaN单晶。
4、氢化物气相外延法
一种半导体化合物材料，优选III-N块体晶体或III-N层，其借助于氢化物气相外延法(HVPE)在反应器中制得，其中在载气混合物中，在所述反应器中形成由局部质量流率表示的流量曲线。