1、碰撞雪崩渡越时间
一、引 言 碰撞雪崩渡越时间 ( IMPATT )二极管(以下简称崩越二极管)是雪崩倍增效应和渡越时间效应两个物理过程所形成的相位延迟的负阻有源器件’‘’。
2、雪崩二极管
雪崩二极管(IMPATT)和耿氏二极管(Gunn)是最适合做毫米波射频源的。准光学功率合成是美国提出的一种具有很好的应用前景的功率合成技术，利用它能制造...
3、渡越时间
用离子注入工艺在普通的硅雪崩渡越时间(IMPATT)结构中加入第二个补充的漂移区,结果在毫米波范围内的性能得到很大改进:在50千兆赫下,一个双漂移二极管能输出1瓦的功率,效率在14%...
4、碰撞雪崩渡越时间二极管
正 一、引言 碰撞雪崩渡越时间二极管 ( IMPATT )是当二极管反向偏置到雪崩击穿状态时,由于存在载流子的碰撞电离和渡越时间两个物理过程,而使交流电流和交流电压间产生了大于90°...
impatt oscillator碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器;雪崩管振荡器
impatt devices崩越器件
oscialltor IMPATT振荡系统
IMPATT amplifier碰撞雪崩滤越时间放大器
impatt diodes雪崩二极管
impatt oscillators雪崩管振荡器
IMPATT diode冲渡二极体;二极管;雪崩二极管;碰撞雪崩渡越时间二极管
impatt injection雪崩注入
ddr impatt diode双漂移崩越二极管